事件爆发点】封测龙头带头提价又官宣了明年一季度涨价

近期半导体可谓是全线吃紧，前有晶圆体产能供不应求，后有封装测试需求爆棚。

封测龙头日月光近日官宣，由于订单量激增，公司将上调明年第一季度价格，涨幅在5%—10%的范围内。

而这是在公司已经上调今年四季度价格基础上的又一次提价，今年第四季度新单和急单价格已经被上调了20%—30%。

而日月光作为行业头部供应商，上调价格绝不单单是个体行为，之后包括华泰、菱生、超丰等在内的供应商也不会落后。

究其原因，除了由于IC载板和导线架等原材料成本上涨之外，终端旺盛的需求才是更关键的原因。

下面对mos失效的原因总结以下六点，然后对1，2重点进行分析：

　　1：雪崩失效（电压失效），也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过mosFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致mosFET失效。

　　2：SOA失效（电流失效），既超出mosFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。

　　3：体二极管失效：在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效。

　　4：谐振失效：在并联使用的过程中，栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。

　　5：静电失效：在秋冬季节，由于人体及设备静电而导致的器件失效。

　　6：栅极电压失效：由于栅极遭受异常电压尖峰，而导致栅极栅氧层失效。

　　雪崩失效分析（电压失效）

　　到底什么是雪崩失效呢，简单来说mosFET在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在mosFET漏源之间，导致的一种失效模式。简而言之就是由于就是mosFET漏源极的电压超过其规定电压值并达到一定的能量限度而导致的一种常见的失效模式。

11月6日，2020年中国宽禁带半导体技术论坛暨产业发展峰会，在浙江嘉兴拉开帷幕。峰会现场发布了《宽禁带功率半导体“十四五”建议书》，这是我国半导体行业首次站位宽禁带半导体产业发展视角，为国家战略新兴产业顶层设计及行业内企业发展的战略选择提供了重要依据。

本次峰会由中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟（以下简称中宽联）、嘉兴市南湖区人民政府、华夏幸福基业股份有限公司（以下简称华夏幸福）、国家集成电路产业投资基金公司主办。作为一年一度的国内新一代半导体行业盛会，汇聚行业内顶级专家、企业家代表近400人，共同探索新基建、“十四五”规划带来的产业发展新机遇。

中共嘉兴市南湖区委书记朱苗、嘉兴市南湖区人民政府区长邵潘锋携嘉兴科技城管理委员会、中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟理事长宗艳民、国家集成电路产业投资基金公司总裁丁文武、华夏幸福基业股份有限公司执行总裁赵威等共同出席峰会。

首次公开《宽禁带功率半导体“十四五”建议书》

举国关注的“十四五”规划建议，已于近日正式发布。其中，再度明确发展现代产业，加快第五代移动通信、工业互联网、大数据中心建设，壮大新一代信息技术等产业